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반도체 재료 아연 텔루 라이드 파우더 CAS 1315-11-3

반도체 재료 아연 텔루 라이드 파우더 CAS 1315-11-3

이름 : 반도체 재료 아연 텔루 라이드 파우더 CAS 1315-11-3
분자식 : Tezn
분자량 : 192.99
Einecs : 215-260-2

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제품 소개
제품 설명

 

화학적 공식 Znte, 분자량 192.99 및 CAS 등록 번호 1315-11-3가있는 아연 텔루 라이드는 중요한 반도체 재료입니다. 그것은 검은 세분화 모양과 대략 6.34 g/cm³의 밀도를 갖는 입방 결정 구조를 나타냅니다. 이 화합물은 1240도에서 1300도까지의 높은 융점을 가지며 3.56의 굴절률이 있습니다.
아연 텔루 라이드의 제조 방법에는 두 가지 주요 접근법이 포함됩니다.
건식 방법은 불활성 가스 분위기 하에서 높은 온도에서 금속 아연을 텔 루륨과 반응시킨 후, 승화 정제를 위해 고순도 결정을 생성하는 것을 포함한다.
습식 방법 : 가용성 아연 염과 소듐 텔루 라이드 사이의 수성 반응을 사용하여 침전물을 형성 한 다음, 세척 및 건조를 통해 가공하여 최종 생성물을 얻습니다.

 

CAS 1315-11-3 | ZINC TELLURIDE
CAS 1315-11-3 | Zinc telluride (ZnTe ZnTe)

 

기본 정보

 

이름 반도체 재료 아연 텔루 라이드 분말
카스 1315-11-3
Einecs 215-260-2
분자량 192.99
밀도 25도에서 6.34 g/ml (Lit.)
녹는 점 1240 학위
수용성 그것은 물에서 분해됩니다.
굴절률 3.56
모습 검은 과립

 

용도

 

반도체 산업 : LED (Light-Emitting Diodes), 적외선 검출기 및 방사선 감지 성분을 제조하는 핵심 재료 역할을합니다.
광전자 : 유리한 굴절률과 적외선 스펙트럼의 투명성으로 인해 창 및 렌즈와 같은 적외선 광학 시스템에 사용됩니다.

 

안전 정보

 

포장 수준 : iii
위험 범주 : 6.1 (b)
위험물 운송 코드 : UN 3288
위험 카테고리 코드 : R23/25
안전 지침 : 36/37/39-45
위험물 상징 : t
위험 설명 : H330
위험 기호 : GHS06
위험 예방 적 진술 : p260; p284; p310
신호 단어 : 위험합니다

 

CAS 1315-11-3 | Zinc telluride

 

회사 프로필

 

Gnee Chem은 식물 화학 및 미세 화학 물질의 연구, 개발, 생산 및 판매를 전문으로하는 기업입니다. 우리의 공장은 2016 년에 설립되었으며 Henan Province에 위치하고 있으며 3,600 평방 미터의 면적을 포함합니다. 우리는 10 년 이상의 R & D 경험을 가진 전문적이고 잘 갖추어 진 고품질 R & D 팀을 보유하고 있습니다. 당사의 제품은 미국, 러시아, 캐나다, 호주, 유럽 등과 같은 많은 국가로 널리 수출되며 고객에게 빠른 운송 서비스를 제공합니다. 우리는 앞으로 더 많은 친구들과 장기적이고 상호 유익한 협력을 구축하고 고객에게 최고의 제품 및 서비스를 제공하기를 희망합니다.

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High Quality CAS 1315-11-3 | ZINC TELLURIDE
ZINC TELLURIDE
Zinc telluride (ZnTe ZnTe)
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예, 우리는 할 수 있습니다.

 

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우리는 일반적으로 지불을받은 후 1-3 며칠 내에 배송됩니다.

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